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JANTX2N3997

JANTX2N3997

僅供參考

型號 JANTX2N3997
PNEDA編號 JANTX2N3997
描述 TRANS NPN 80V 10A TO111
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3997資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3997
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3997規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/374
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱TO-111-4, Stud
供應商設備包裝TO-111

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.15W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200µA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 10V

功率-最大

15W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

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