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JANTX2N6768T1

JANTX2N6768T1

僅供參考

型號 JANTX2N6768T1
PNEDA編號 JANTX2N6768T1
描述 MOSFET N-CH TO-254AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N6768T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N6768T1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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JANTX2N6768T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/543
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.2A (Ta), 59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1925pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4070pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

207.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11384pF @ 60V

FET功能

-

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FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

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