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JANTXV1N5529DUR-1

JANTXV1N5529DUR-1

僅供參考

型號 JANTXV1N5529DUR-1
PNEDA編號 JANTXV1N5529DUR-1
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N5529DUR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N5529DUR-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JANTXV1N5529DUR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/437
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±1%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)45 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA

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Microsemi Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

140V

公差

±10%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

230 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 101V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

公差

±5%

功率-最大

1.3W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 20V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

1N5257B-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

33V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

58 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

BZV55B4V3 L0G

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

Mini MELF

BZX55C12-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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