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JANTXV1N5619

JANTXV1N5619

僅供參考

型號 JANTXV1N5619
PNEDA編號 JANTXV1N5619
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N5619資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N5619
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N5619規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/429
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 600V
電容@ Vr,F25pF @ 12V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱A, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 45A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

780ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

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