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JANTXV1N6628US

JANTXV1N6628US

僅供參考

型號 JANTXV1N6628US
PNEDA編號 JANTXV1N6628US
描述 DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N6628US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N6628US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N6628US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)660V
電流-平均整流(Io)1.75A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 660V
電容@ Vr,F40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, E
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 250V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

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600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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