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JANTXV2N3637UB

JANTXV2N3637UB

僅供參考

型號 JANTXV2N3637UB
PNEDA編號 JANTXV2N3637UB
描述 TRANS PNP 175V 1A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3637UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3637UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3637UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/357
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)175V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 10V
功率-最大1.5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝3-SMD

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

13 @ 500mA, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 1.5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10A, 2V

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