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JANTXV2N5013S

JANTXV2N5013S

僅供參考

型號 JANTXV2N5013S
PNEDA編號 JANTXV2N5013S
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5013S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5013S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5013S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/727
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

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2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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