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JANTXV2N6284

JANTXV2N6284

僅供參考

型號 JANTXV2N6284
PNEDA編號 JANTXV2N6284
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6284資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6284
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6284規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

30µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 5V

功率-最大

30W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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