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JANTXV2N6352

JANTXV2N6352

僅供參考

型號 JANTXV2N6352
PNEDA編號 JANTXV2N6352
描述 TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6352資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6352
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6352規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/472
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 5mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 5A, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝TO-66 (TO-213AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

620mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 1A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

165mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

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