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JANTXV2N6383

JANTXV2N6383

僅供參考

型號 JANTXV2N6383
PNEDA編號 JANTXV2N6383
描述 TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6383資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6383
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6383規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/523
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 100mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204AA (TO-3)

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 100mA, 2.75A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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