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JFTJ105

JFTJ105

僅供參考

型號 JFTJ105
PNEDA編號 JFTJ105
描述 JFET N-CH 25V 1W SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JFTJ105資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JFTJ105
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
JFTJ105, JFTJ105數據表 (總頁數: 8, 大小: 545.92 KB)
PDFJFTJ105數據表 封面
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JFTJ105規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)500mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4.5V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)3 Ohms
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-4

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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3V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.2pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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