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JS28F256P30BFE

JS28F256P30BFE

僅供參考

型號 JS28F256P30BFE
PNEDA編號 JS28F256P30BFE
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JS28F256P30BFE資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JS28F256P30BFE
類別半導體內存IC內存

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JS28F256P30BFE規格

制造商Micron Technology Inc.
系列StrataFlash™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-CDIP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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100-TQFP (14x14)

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內存類型

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-DIP

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