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JS28F256P30BFF TR

JS28F256P30BFF TR

僅供參考

型號 JS28F256P30BFF TR
PNEDA編號 JS28F256P30BFF-TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JS28F256P30BFF TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JS28F256P30BFF TR
類別半導體內存IC內存

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JS28F256P30BFF TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列StrataFlash™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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訪問時間

12ns

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工作溫度

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