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KSA1242YTU

KSA1242YTU

僅供參考

型號 KSA1242YTU
PNEDA編號 KSA1242YTU
描述 TRANS PNP 20V 5A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA1242YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA1242YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA1242YTU, KSA1242YTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 40.23 KB)
PDFKSA1242YTU數據表 封面
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KSA1242YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 500mA, 2V
功率-最大10W
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

35nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

550V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 360mA, 1.8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1.8A, 4V

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