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KSA539CYBU

KSA539CYBU

僅供參考

型號 KSA539CYBU
PNEDA編號 KSA539CYBU
描述 TRANS PNP 45V 0.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA539CYBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA539CYBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA539CYBU, KSA539CYBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 293.48 KB)
PDFKSA539OTA數據表 封面
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KSA539CYBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 50mA, 1V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 7A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 4A, 2V

功率-最大

115W

頻率-過渡

6MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

240 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.35W

頻率-過渡

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 8A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 1V

功率-最大

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