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KSA709CYTA

KSA709CYTA

僅供參考

型號 KSA709CYTA
PNEDA編號 KSA709CYTA
描述 TRANS PNP 150V 0.7A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA709CYTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA709CYTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA709CYTA, KSA709CYTA數據表 (總頁數: 4, 大小: 37.59 KB)
PDFKSA709CGBU數據表 封面
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KSA709CYTA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 20mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 50mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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NPN

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250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 8A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

800mW

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 250mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

20µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

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