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KSB1116AYBU

KSB1116AYBU

僅供參考

型號 KSB1116AYBU
PNEDA編號 KSB1116AYBU
描述 TRANS PNP 60V 1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1116AYBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1116AYBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1116AYBU, KSB1116AYBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 52.45 KB)
PDFKSB1116AGBU數據表 封面
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KSB1116AYBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce135 @ 100mA, 2V
功率-最大750mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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50mA

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

225 @ 10mA, 5V

功率-最大

360mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

520MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 10V

功率-最大

600mW

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4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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