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KSB1151YSTSSTU

KSB1151YSTSSTU

僅供參考

型號 KSB1151YSTSSTU
PNEDA編號 KSB1151YSTSSTU
描述 TRANS PNP 60V 5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1151YSTSSTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1151YSTSSTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1151YSTSSTU, KSB1151YSTSSTU數據表 (總頁數: 6, 大小: 201.87 KB)
PDFKSB1151YSTSSTU數據表 封面
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KSB1151YSTSSTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 2A, 1V
功率-最大1.3W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

400kHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 10mA, 1V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

1.5GHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 4A, 2V

功率-最大

125W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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