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KSB1151YSTU

KSB1151YSTU

僅供參考

型號 KSB1151YSTU
PNEDA編號 KSB1151YSTU
描述 TRANS PNP 60V 5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1151YSTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1151YSTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1151YSTU, KSB1151YSTU數據表 (總頁數: 6, 大小: 201.87 KB)
PDFKSB1151YSTSSTU數據表 封面
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KSB1151YSTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 2A, 1V
功率-最大1.3W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 150mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

300mW

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