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KSB811YBU

KSB811YBU

僅供參考

型號 KSB811YBU
PNEDA編號 KSB811YBU
描述 TRANS PNP 25V 1A TO-92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB811YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB811YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB811YBU, KSB811YBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 37.59 KB)
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KSB811YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡110MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

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