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KSB834O

KSB834O

僅供參考

型號 KSB834O
PNEDA編號 KSB834O
描述 TRANS PNP 60V 3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB834O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB834O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB834O, KSB834O數據表 (總頁數: 4, 大小: 70.4 KB)
PDFKSB834O數據表 封面
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KSB834O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 500mA, 5V
功率-最大1.5W
頻率-過渡9MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

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