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KSC1730YBU

KSC1730YBU

僅供參考

型號 KSC1730YBU
PNEDA編號 KSC1730YBU
描述 RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1730YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1730YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC1730YBU, KSC1730YBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 41.37 KB)
PDFKSC1730YBU數據表 封面
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KSC1730YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.1GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

增益

13dB ~ 15.5dB

功率-最大

1.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 8.5dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

55JT

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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