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KSC2001YBU

KSC2001YBU

僅供參考

型號 KSC2001YBU
PNEDA編號 KSC2001YBU
描述 TRANS NPN 25V 0.7A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 14 - 三月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2001YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2001YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC2001YBU, KSC2001YBU數據表 (總頁數: 3, 大小: 26.23 KB)
PDFKSC2001YBU數據表 封面
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KSC2001YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 70mA, 700mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce135 @ 100mA, 1V
功率-最大600mW
頻率-過渡170MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 2V

功率-最大

15W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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ON Semiconductor

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 400mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

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