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KSC2786YBU

KSC2786YBU

僅供參考

型號 KSC2786YBU
PNEDA編號 KSC2786YBU
描述 RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2786YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2786YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC2786YBU, KSC2786YBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 72.26 KB)
PDFKSC2786RTA數據表 封面
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KSC2786YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益18dB ~ 22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

增益

20dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

21dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

13dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

130mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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