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KSC3073YTU

KSC3073YTU

僅供參考

型號 KSC3073YTU
PNEDA編號 KSC3073YTU
描述 TRANS NPN 30V 3A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC3073YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC3073YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC3073YTU, KSC3073YTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 40.87 KB)
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KSC3073YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

1.75W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 10mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 7A, 10V

功率-最大

34W

頻率-過渡

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