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KSC3123OMTF

KSC3123OMTF

僅供參考

型號 KSC3123OMTF
PNEDA編號 KSC3123OMTF
描述 RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC3123OMTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC3123OMTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC3123OMTF, KSC3123OMTF數據表 (總頁數: 5, 大小: 67.45 KB)
PDFKSC3123YMTF數據表 封面
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KSC3123OMTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡1.4GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益20dB ~ 23dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

TAN300

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.6dB

功率-最大

1166W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KT

供應商設備包裝

55KT

0912-25

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB ~ 10dB

功率-最大

125W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55CT

供應商設備包裝

55CT

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-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

8.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

13dB ~ 7dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SC-70

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