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KSC5047TU

KSC5047TU

僅供參考

型號 KSC5047TU
PNEDA編號 KSC5047TU
描述 TRANS NPN 50V 15A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5047TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5047TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5047TU, KSC5047TU數據表 (總頁數: 4, 大小: 42.41 KB)
PDFKSC5047TU數據表 封面
KSC5047TU數據表 頁面 2 KSC5047TU數據表 頁面 3 KSC5047TU數據表 頁面 4

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KSC5047TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 120mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 5A, 5V
功率-最大100W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

520mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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