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KSC5402DTF

KSC5402DTF

僅供參考

型號 KSC5402DTF
PNEDA編號 KSC5402DTF
描述 TRANS NPN 525V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5402DTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5402DTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5402DTF, KSC5402DTF數據表 (總頁數: 12, 大小: 337.71 KB)
PDFKSC5402DTTU數據表 封面
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KSC5402DTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)525V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)250µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce6 @ 1A, 1V
功率-最大30W
頻率-過渡11MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 300mA, 12A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 5A, 10V

功率-最大

180W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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