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KSC5402DTTU

KSC5402DTTU

僅供參考

型號 KSC5402DTTU
PNEDA編號 KSC5402DTTU
描述 TRANS NPN 450V 2A TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5402DTTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5402DTTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5402DTTU, KSC5402DTTU數據表 (總頁數: 12, 大小: 337.71 KB)
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KSC5402DTTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce6 @ 1A, 1V
功率-最大50W
頻率-過渡11MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

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600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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