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KSC5502DTM

KSC5502DTM

僅供參考

型號 KSC5502DTM
PNEDA編號 KSC5502DTM
描述 TRANS NPN 600V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5502DTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5502DTM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5502DTM, KSC5502DTM數據表 (總頁數: 13, 大小: 438.96 KB)
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KSC5502DTM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce4 @ 1A, 1V
功率-最大50W
頻率-過渡11MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252AA

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

15W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SC-75

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

功率-最大

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