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KSD5018PWD

KSD5018PWD

僅供參考

型號 KSD5018PWD
PNEDA編號 KSD5018PWD
描述 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD5018PWD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD5018PWD
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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KSD5018PWD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)275V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 20mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 400mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 60mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

50W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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