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KSE13003H2AS

KSE13003H2AS

僅供參考

型號 KSE13003H2AS
PNEDA編號 KSE13003H2AS
描述 TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE13003H2AS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE13003H2AS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE13003H2AS, KSE13003H2AS數據表 (總頁數: 6, 大小: 583.31 KB)
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KSE13003H2AS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 500mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce14 @ 500mA, 2V
功率-最大20W
頻率-過渡4MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 100µA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 660mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 400mA, 5V

功率-最大

90W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP + Diode (Isolated)

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

530mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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ON Semiconductor

制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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