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KSE5740TU

KSE5740TU

僅供參考

型號 KSE5740TU
PNEDA編號 KSE5740TU
描述 TRANS NPN DARL 300V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE5740TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE5740TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE5740TU, KSE5740TU數據表 (總頁數: 5, 大小: 49.39 KB)
PDFKSE5740TU數據表 封面
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KSE5740TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 4A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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-

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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