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KSE5740TU

KSE5740TU

僅供參考

型號 KSE5740TU
PNEDA編號 KSE5740TU
描述 TRANS NPN DARL 300V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE5740TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE5740TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE5740TU, KSE5740TU數據表 (總頁數: 5, 大小: 49.39 KB)
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KSE5740TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 4A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 5A, 3V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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