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KSE702STU

KSE702STU

僅供參考

型號 KSE702STU
PNEDA編號 KSE702STU
描述 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE702STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE702STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE702STU, KSE702STU數據表 (總頁數: 4, 大小: 54.29 KB)
PDFKSE703STU數據表 封面
KSE703STU數據表 頁面 2 KSE703STU數據表 頁面 3 KSE703STU數據表 頁面 4

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KSE702STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

145MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 2mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100µA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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