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KSH112GTM

KSH112GTM

僅供參考

型號 KSH112GTM
PNEDA編號 KSH112GTM
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 12 - 三月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSH112GTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSH112GTM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSH112GTM, KSH112GTM數據表 (總頁數: 8, 大小: 175.04 KB)
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KSH112GTM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大1.75W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 500mA, 50A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 25A, 5V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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