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KST10MTF

KST10MTF

僅供參考

型號 KST10MTF
PNEDA編號 KST10MTF
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 124,260
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KST10MTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KST10MTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KST10MTF, KST10MTF數據表 (總頁數: 5, 大小: 267.89 KB)
PDFKST10MTF數據表 封面
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KST10MTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

140mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-3

供應商設備包裝

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55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

9.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

14.2dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

19.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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供應商設備包裝

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