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LE25S20MB-AH

LE25S20MB-AH

僅供參考

型號 LE25S20MB-AH
PNEDA編號 LE25S20MB-AH
描述 IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LE25S20MB-AH資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LE25S20MB-AH
類別半導體內存IC內存
數據表
LE25S20MB-AH, LE25S20MB-AH數據表 (總頁數: 22, 大小: 204.58 KB)
PDFLE25S20MB-AH數據表 封面
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LE25S20MB-AH規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁3.5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC/SOP

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內存格式

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內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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