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LE25S81AFDTWG

LE25S81AFDTWG

僅供參考

型號 LE25S81AFDTWG
PNEDA編號 LE25S81AFDTWG
描述 IC FLASH 8M SPI 70MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LE25S81AFDTWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LE25S81AFDTWG
類別半導體內存IC內存
數據表
LE25S81AFDTWG, LE25S81AFDTWG數據表 (總頁數: 51, 大小: 630.81 KB)
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LE25S81AFDTWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率70MHz
寫周期-字,頁500µs
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 90°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-VSOIC

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

AT21CS11-SSH10-T

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 4.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

IDT71256SA25Y8

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

6.7ns

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x20)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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