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LL101B-GS18

LL101B-GS18

僅供參考

型號 LL101B-GS18
PNEDA編號 LL101B-GS18
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LL101B-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LL101B-GS18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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LL101B-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)30mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)1ns
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 40V
電容@ Vr,F2.1pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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40V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

70pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

25pF @ 1V, 1MHz

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