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LL103B-GS18

LL103B-GS18

僅供參考

型號 LL103B-GS18
PNEDA編號 LL103B-GS18
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LL103B-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LL103B-GS18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LL103B-GS18, LL103B-GS18數據表 (總頁數: 4, 大小: 83.79 KB)
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LL103B-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)10ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 20V
電容@ Vr,F50pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 3.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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