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LM3S1N11-IBZ50-C3T

LM3S1N11-IBZ50-C3T

僅供參考

型號 LM3S1N11-IBZ50-C3T
PNEDA編號 LM3S1N11-IBZ50-C3T
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S1N11-IBZ50-C3T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S1N11-IBZ50-C3T
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S1N11-IBZ50-C3T規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度50MHz
連接性I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT
I / O數量67
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小12K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.08V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 8x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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I / O數量

21

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 6x10b/12b

振蕩器類型

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工作溫度

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程序存儲器大小

512KB (512K x 8)

程序存儲器類型

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EEPROM大小

4K x 8

RAM大小

32K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

A/D 8x12b

振蕩器類型

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工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.62V ~ 3.7V

數據轉換器

A/D 26x16b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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I / O數量

28

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 16x12b; D/A 2x6b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LQFP

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制造商

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核心大小

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

69

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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