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LS101C-GS18

LS101C-GS18

僅供參考

型號 LS101C-GS18
PNEDA編號 LS101C-GS18
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LS101C-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LS101C-GS18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LS101C-GS18, LS101C-GS18數據表 (總頁數: 4, 大小: 114.47 KB)
PDFLS101B-GS08數據表 封面
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LS101C-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)30mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 30V
電容@ Vr,F2.2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 60V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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