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LSR103 L0G

LSR103 L0G

僅供參考

型號 LSR103 L0G
PNEDA編號 LSR103-L0G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LSR103 L0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LSR103 L0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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LSR103 L0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 30V
電容@ Vr,F110pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF
供應商設備包裝MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.1V @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

325ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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