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M25P128-VME6TG TR

M25P128-VME6TG TR

僅供參考

型號 M25P128-VME6TG TR
PNEDA編號 M25P128-VME6TG-TR
描述 IC FLASH 128M SPI 50MHZ 8VDFPN
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25P128-VME6TG TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25P128-VME6TG TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M25P128-VME6TG TR, M25P128-VME6TG TR數據表 (總頁數: 47, 大小: 899.89 KB)
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M25P128-VME6TG TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率50MHz
寫周期-字,頁15ms, 7ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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時鐘頻率

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訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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