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M25P16-VMN6TPBA TR

M25P16-VMN6TPBA TR

僅供參考

型號 M25P16-VMN6TPBA TR
PNEDA編號 M25P16-VMN6TPBA-TR
描述 IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 29 - 四月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25P16-VMN6TPBA TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25P16-VMN6TPBA TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M25P16-VMN6TPBA TR, M25P16-VMN6TPBA TR數據表 (總頁數: 55, 大小: 600.96 KB)
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M25P16-VMN6TPBA TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率75MHz
寫周期-字,頁15ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

700µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1066MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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