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M25P80-VMN3TP/4 TR

M25P80-VMN3TP/4 TR

僅供參考

型號 M25P80-VMN3TP/4 TR
PNEDA編號 M25P80-VMN3TP-4-TR
描述 IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25P80-VMN3TP/4 TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25P80-VMN3TP/4 TR
類別半導體內存IC內存

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M25P80-VMN3TP/4 TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率75MHz
寫周期-字,頁15ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (8x10)

70V9389L7PF8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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