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M25PX80-VMN6TP00

M25PX80-VMN6TP00

僅供參考

型號 M25PX80-VMN6TP00
PNEDA編號 M25PX80-VMN6TP00
描述 IC FLASH 8M SPI 75MHZ SOIC
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25PX80-VMN6TP00資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25PX80-VMN6TP00
類別半導體內存IC內存

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M25PX80-VMN6TP00規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率75MHz
寫周期-字,頁15ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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