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M27W101-80K6

M27W101-80K6

僅供參考

型號 M27W101-80K6
PNEDA編號 M27W101-80K6
描述 IC EPROM 1M PARALLEL 32PLCC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M27W101-80K6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M27W101-80K6
類別半導體內存IC內存
數據表
M27W101-80K6, M27W101-80K6數據表 (總頁數: 23, 大小: 219.26 KB)
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M27W101-80K6規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間80ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (11.35x13.89)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

10ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1066MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

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安裝類型

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