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M28W640HSB70ZA6E

M28W640HSB70ZA6E

僅供參考

型號 M28W640HSB70ZA6E
PNEDA編號 M28W640HSB70ZA6E
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 64TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M28W640HSB70ZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M28W640HSB70ZA6E
類別半導體內存IC內存

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M28W640HSB70ZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-VFBGA
供應商設備包裝64-TFBGA (10.5x6.39)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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