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M29DW641F70N6F TR

M29DW641F70N6F TR

僅供參考

型號 M29DW641F70N6F TR
PNEDA編號 M29DW641F70N6F-TR
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29DW641F70N6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29DW641F70N6F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M29DW641F70N6F TR, M29DW641F70N6F TR數據表 (總頁數: 80, 大小: 1,623.56 KB)
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M29DW641F70N6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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STMicroelectronics

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

30ns

訪問時間

30ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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